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SSD M.2 PCIe NVMe 512Gb PM9B1 SAMSUNG

M.2 2280 - R:3500 / W: 2500Mb/s - Garantia: 6 meses

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Cod.: #001142 Disponibilidade: Em estoque

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DESCRIÇÃO:

O Samsung PM9B1 é um SSD no formato M.2 2280, lançado em 2022. Está disponível em capacidades que variam de 256 GB a 1 TB. Esta página apresenta as especificações da variante de 512 GB. O Samsung PM9B1 se conecta ao restante do sistema através de uma interface PCI-Express 4.0 x4. O controlador do SSD é o 88SS1322 Whistler Plus da Marvell, e não possui cache DRAM. A Samsung instalou memória flash NAND TLC de 128 camadas no PM9B1, com chips de memória flash fabricados pela própria Samsung. Para melhorar as velocidades de gravação, utiliza-se um cache pseudo-SLC, o que permite processar rajadas de gravações recebidas mais rapidamente. Graças ao suporte à interface PCI-Express 4.0, o desempenho é excelente. O PM9B1 tem classificação de velocidades de leitura sequencial de até 3.500 MB/s e de gravação de até 2.500 MB/s. O desempenho em operações de IOPS aleatórias chega a 430 mil para leitura e 400 mil para gravação.

Unidade de estado sólido

Capacidade: 512 GB
Variantes: 256 GB  512 GB 1 TB
Provisionamento excessivo: 35,2 GB / 7,4%
Produção: Desconhecido
Lançado: 2022
Número da peça: MZVL4512HBLU-00BL7
Mercado: Consumidor

Físico

Fator de forma: M.2 2280 (Face Simples)
Interface: PCIe 4.0 x4
Protocolo: NVMe 1.4
Consumo de energia: Desconhecido

Controlador

Fabricante: Marvell
Nome:
88SS1322 Whistler Plus
Encontre mais unidades de disco
Arquitetura: Arm® Cortex®-R5
Contagem de núcleos: Núcleo triplo
Fundição: TSMC FinFET
Processo: 12 nm
Canais Flash: 4 a 1.200 MT/s
O chip permite: 4
Funcionalidades do controlador: HMB (ativado)

Memória Flash NAND

Fabricante: Samsung
Nome: V-NAND V6
Número da peça: K9OUGY8J5B-CCK0
Tipo: TLC
Tecnologia: 128 camadas
Velocidade: 1200 MT/s
Capacidade: 1 chip a 4 Tbits
Alternar: 4.0
Topologia: Armadilha de carga
Processo: 19 nm
Tamanho da matriz: 102 mm²
(5,0 Gbit/mm²)
Número de chips por unidade: 8 chips a 512 Gbit
Planos por Dado: 2
Baralhos por Dado: 1
Linhas de palavras: 136 por string NAND,
94,1% de eficiência vertical.
Tempo de leitura (tR): 45 µs
Tempo de Programação (tProg): 390 µs
Tempo de apagamento de bloco (tBERS): 3,5 ms
Velocidade de leitura do dado: 711 MB/s
Velocidade de gravação do chip: 82 MB/s
Resistência:
(até)
3000 ciclos P/E
Tamanho da página: 16 KB

Cache DRAM

Tipo: Nenhum
Buffer de memória do host (HMB): 64 MB

Desempenho

Leitura sequencial: 3.500 MB/s
Escrita sequencial: 2.500 MB/s
Leitura aleatória: 430.000 IOPS
Escrita aleatória: 400.000 IOPS
Resistência: Desconhecido
Garantia: Desconhecido
Cache de escrita SLC: Sim

 

 

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